Si/Ge IV 族 MBE 工艺训练台 · Octoplus 500 · 3" Si 晶圆 · Si/Ge 电子束 + B 掺杂 · 应变 SiGe 量子阱

IV 族共价、单元素束流（无 III-V 配对）；训练 Ge 组分、压应变与临界厚度判断。复用 MBE 工艺训练台通用引擎。

① Load ② Si 脱氧 ③ Si Buffer ④ Si/SiGe 超晶格 ⑤ Cooldown ⑥ Report

训练任务

目标—

Si Ge SiGe B

① 叠层配方（默认=典型 SiGe QW，可微调）

周期数15 期

SiGe 阱厚6.0 nm

Si 隔垒厚8.0 nm

Ge 组分 x0.30

Ge 组分越高、阱越厚 → 压应变越大；超过临界厚度即弛豫产生失配位错。

② 生长条件

衬底温度550 ℃

Si 电子束功率80 %

Ge 电子束功率55 %

B 掺杂 (p 型)

B 源温1150 ℃

快门控制（IV 族单元素）

当前束流—

风险—

生长腔截面（Si/Ge 电子束 + B 热源；紫=SiGe 阱；低质量→3D 岛/弛豫）

iRHEED 衍射屏（2×1 条纹 ↔ 斑点）

应变累积 / 临界厚度

SiGe 阱逐周期累积压应变；越过红色临界线=弛豫/失配位错。

Si/SiGe 周期堆叠总览

Ge 组分 / 能带 (SiGe 阱)

RHEED 镜面强度振荡（每波峰≈一原子层；表面变糙→振荡变弱）

PROCESS · 实时状态

SUB 衬底温度

—

SUBRot 转速

—

Si 源 (e-beam)

—

Ge 源 (e-beam)

—

B 掺杂源

—

EpiStep

—

周期

—

当前层厚

—

已用时间

—

剩余时间

—

当前步骤

—

Ion Pump OKCryo OK QMS OKQCM OK

诊断读数

综合评分—

评级—

表面质量 Q—

RHEED—

实际 Ge 组分 / 目标— / —

SiGe 带隙—

失配—

累积应变0

应变状态—

弛豫风险—

—

评分构成 / 事件日志

配方0

表面0

应变0

Ge 组分0

操作0

✅ 生长完成 · 训练复盘

叠层结构

—

综合评分

—

总厚度

—

平均 RHEED

—

累积应变/状态

—

实际 Ge 组分

—

SiGe 带隙

—

弛豫风险

—

设备：Octoplus 500 · 3" Si 晶圆 · 8 热蒸发 + 2 电子束源 · 离子泵+低温冷凝泵 · RHEED · QMS · 晶振膜厚仪。本体源 Si/Ge（电子束），掺杂源 B。与 InAs/GaSb 炉子共用同一通用引擎与界面布局。