InAs/GaSb 二类超晶格 MBE 工艺训练台 · 训练目标不是只看动画，而是通过 recipe、温度、束流、快门、RHEED 和应变反馈训练工艺判断能力。

Load Deoxide GaSb Buffer Interface Calib SL Growth Cooldown Report
--
训练任务
标准 InAs/GaSb 超晶格生长
20 周期教学基线，保持二维层状生长
加载任务数据后显示复现依据。
类型教学基线任务
数据来源通用规则模型
适用范围用于训练参数趋势。
限制缺少真实表征闭环。
模型适用插值范围内
-- / 100--
A. Recipe 配方
20 期
150 nm
5.21 nm
1.39 nm
0.00 nm
12.8 μm
增大 InAs 厚度通常使 Eg_eff 降低、截止波长变长，同时增加应变和暗电流敏感性。
InAs GaSb InSb 界面 GaAs-like 风险
B. 温度与源炉控制
380 ℃
合适 推荐 370-410 ℃
780 ℃
合适 推荐 770-790 ℃
900 ℃
合适 推荐 890-910 ℃
1050 ℃
合适 推荐 1030-1070 ℃
310 ℃
合适 推荐 300-320 ℃ (As/In 比: --)
430 ℃
合适 推荐 420-440 ℃ (Sb/Ga 比: --)
As/In 束流比: --
Sb/Ga 束流比: --
InAs 速率: -- nm/s
GaSb 速率: -- nm/s
C. 快门与束流控制
当前组合--
组合风险--
配方快门时序参考
D. 界面工程
0.020 nm
2.0 s
0.5 s
MEE 双 InSb 界面用于补偿 InAs 拉应变；Ga + As 快门组合会形成 GaAs-like 风险界面，应尽量避免。理论平衡约 --
中央数字孪生视图 · 炉源 / 快门 / 束流 / 层状截面
Cycle -- Shutter -- Layer --
全栈压缩总览 · 主画布显示当前局部放大
横向表示放倒后的生长截面：GaSb 衬底 → GaSb buffer → 周期序列；每个周期从左到右为 InSb 界面 / InAs / InSb 界面 / GaSb，红框为当前周期。
RHEED 图像
RHEED 镜面反射点强度（每一个波峰 = 长完一个完整原子层）
Sensor 1 Sensor 2 Sensor 3 Sensor 4
四条曲线对应 RHEED 图像中的 4 个 Sensor 区域；逐层生长时，镜面反射点强度随表面平整度振荡。默认横坐标显示完整生长时间，放大后查看最近窗口。
应变累积 · 安全区 / 警告区 / 失配区
纵轴表示累计失配应变：0 线以上为拉应变，0 线以下为压应变；绿色区域表示仍在临界范围内，越过 ±临界线后进入弛豫/失配位错风险区。
工艺状态机 · 当前阶段判读
阶段正常
阶段目标--
设备动作--
预期反馈--
当前动作--
推荐快门--
沉积材料--

--

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过程状态 · 设备与生长参数
SUB 温度
-- ℃
SUBRot
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Ga cell
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In cell
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Al cell
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Sb valve
--
As valve
--
EpiStep
--
周期
--
总厚度
--
已用
--
剩余
--
当前步骤
--
Comms OKP-Loops OKSensors OK
实时诊断
表面质量-- %
--

--

界面质量--
InSb 界面 --GaAs-like --
应变状态0
--

--

光学结果-- μm
Eg -- eV匹配 --

-- · --

器件风险--

--

虚拟表征预测 · 对应实验真值
DXRD
--
卫星峰 FWHM，目标 < 20 arcsec
AFM
--
表面 RMS，参考约 1.5 Å
HRTEM
--
界面平整度 / 周期均匀性
PL
--
峰位对应 Eg_eff，半宽反映均匀性
I-V
--
R0A 趋势，反映暗电流风险
光谱/黑体
--
λc / QE / D* 趋势预测
这些是由当前 recipe、RHEED、界面和应变规则推断的“预表征”指标，用来提前判断风险；真实真值仍需 DXRD、AFM、HRTEM、PL、I-V、光谱响应和黑体测试闭环验证。
评分拆解
Recipe 合理性--/20
表面质量--/20
界面控制--/20
应变控制--/15
波长匹配--/15
操作规范--/10
文献真值贴合--/10
事件日志 / 错误提示 / 工艺助手
训练报告 · 生长完成
最终评分
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超晶格结构
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总厚度
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平均 RHEED 强度
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应变状态
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RHEED 状态
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Eg_eff
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截止波长
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目标波段
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暗电流风险
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评价模型与适用范围

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生长过程复盘
本次评价标准
预测与实验真值对照
本任务复现依据
    通用物理依据与参考文献
    • Delmas et al., 2019：InAs/GaSb T2SL MBE 中 InSb 界面工程、XRD FWHM、AFM RMS、PL 截止波长与暗电流表征。
    • Li et al., 2009：InAs/GaSb 超晶格中 InSb/GaAs 界面键合、失配应变与形貌演化关系。
    • Kim et al., 2016：原子尺度测量 InAs/GaSb T2SL 子晶格应变、GaAs-like 界面与互混特征。
    • Fang et al., 2021：InAs/GaSb T2SL 带隙与能带计算需使用 k·p、包络函数、赝势或紧束缚等更高阶模型。
    • Sullivan et al., 2014：RHEED 强度振荡可用于层状生长监控，但振荡相位需要实验标定。
    • 蒋洞微，2016：哈尔滨工业大学博士论文《InAs/GaSb II 类超晶格材料生长及其红外探测器性能》，提供 MEE 双 InSb 界面、M 型势垒和长波/甚长波器件结果。
    物理量为半物理规则模型，用于工艺训练与趋势理解，不作为定量外延设计工具。训练重点：InAs/GaSb 交替生长、MEE 双 InSb 界面、RHEED 反馈、应变补偿、截止波长与暗电流风险。